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賽默飛GC-Orbitrap超高分辨質(zhì)譜“VeV”黑科技揭秘
更新時(shí)間:2018-04-02   點(diǎn)擊次數:2220次

 

 

說(shuō)起賽默飛的黑科技,超高分辨率、高靈敏度、質(zhì)量數、寬線(xiàn)性范圍的GC-Orbitrap算一個(gè)。有了GC-Orbitrap,再也不用擔心不能同時(shí)定性定量,再也不用操心什么離子對、質(zhì)譜條件優(yōu)化,想要的、不想要的,統統全掃帶走。

 

EI(Electron Ionization)和CI(Chemical Ionization)是GC-MS常見(jiàn)的兩種離子源。EI指電子束通過(guò)氣態(tài)樣品,使其產(chǎn)生帶正電荷離子碎片的現象。對于大多數GC方法適用的化學(xué)物質(zhì)而言,從激發(fā)態(tài)電子到分析物的大轉移能量為70 eV,所以大多數質(zhì)譜儀在EI模式下使用70電子伏(eV)電離。包括NIST、Wiley在內的商業(yè)譜庫都是采用70 eV下的EI電離數據,采用70 eV的EI電離得到的質(zhì)譜圖能與商業(yè)譜庫進(jìn)行比對,輕松得到定性結果。然而,傳統的EI是一種硬電離方式,似乎用力過(guò)猛,這種方式電離常導致分子離子峰的缺失。

 

相比于EI,CI電離是一種較為溫和的電離方式,通過(guò)引入一種反應氣體(如甲烷、異丁烷、氨等),使之與樣品分子反應。CI可以得到很強的準分子離子峰,利于推測分子的摩爾質(zhì)量,但其電離靈敏度通常較低,電離是化合物特異性的,無(wú)法通過(guò)數據庫檢索識別化合物。

 

一般的GC-MS都同時(shí)配有EI和CI源,GC-Orbitrap 更是配有不卸真空更換離子源的真空鎖定裝置,方便更換離子源,可以快速獲得EI、CI兩組數據。

 

回歸正題,賽默飛針對GC-Orbitrap全新推出一項“黑科技”——“EI軟電離——可變電子電壓技術(shù)(VeV)”。軟電離EI技術(shù)可以減少或消除不含有用結構信息的低質(zhì)量離子,增加較高質(zhì)量離子和/或分子離子信息,兼具EI和CI兩者的優(yōu)點(diǎn),能獲得更大的信息量,對結構分析非常有用。硬電離、軟電離、高低電子能量切換,不換離子源,統統搞定。

 

 

VeV的主要優(yōu)點(diǎn)包括:

1.*自動(dòng)優(yōu)化性能:遵循 Orbitrap GC-MS 的簡(jiǎn)單操作原則,通過(guò)簡(jiǎn)單快速的全自動(dòng)調諧,VeV的設置非常容易。

2.靈敏度增加:借助 Orbitrap 技術(shù)的全掃描靈敏度,相較于標準 70 eV,VeV技術(shù) 能夠顯著(zhù)增強目標離子信號。

3.增強鑒定結果信心:VeV增加了分子離子和診斷性的高質(zhì)量離子信號,這些都是用于化合物鑒定和確認的重要信息。

 實(shí)驗部分 

VeV軟件界面操作極其簡(jiǎn)單,其調諧窗口包含電子能量選值框,可變電子能量可以設定在150至12 eV的范圍內。此外,可以選擇需調諧優(yōu)化的質(zhì)量數。點(diǎn)擊“調諧”按鈕,只需 30 秒即可完成一次自動(dòng)調諧。

 

 

 

結論

總體而言,在GC-Orbitrap系統上使用VeV可以提高分析性能。自動(dòng)調諧系統大大降低了操作復雜性并提高了實(shí)驗室工作效率。VeV可以顯著(zhù)降低檢測限,用于可靠的定性和定量分析。無(wú)論使用多大的電離能量,質(zhì)量誤差始終保持在小于1 ppm的水平。除了具有的質(zhì)量精度外,獲得更強的分子離子峰和高質(zhì)量碎片信號,是幫助識別特定化合物、并獲取有用的結構信息的有效方法。

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